Struttura e stabilità di SnS2-Based singola e multi-Wall nanotubi

Struttura e stabilità di SnS2-Based singola e multi-Wall nanotubi 

Densità Hybrid metodo funzionale PBE0 che mescola il 75% Perdew-Burke-Ernzerhof e il 25% lo scambio Hartree-Fock funzionale è stato applicato per l'indagine della struttura elettronica e atomica di nanotubi ottenuti facendo rotolare da strati esagonali di stagno disolfuro.  

I calcoli sono stati effettuati sulla base delle funzioni atomici localizzate mediante il codice di computer CRYSTAL09.   

L'energia di deformazione calcolata di SnS ₂ a parete singola nanotubi circa obbedisce a R ^-2 legge ( R è il raggio di nanotubi) della teoria dell'elasticità classica. SNS ₂ struttura a bande elettroniche di nanotubi producono un comportamento semiconduttore. Band gap di nanotubi a parete singola diminuisce linearmente con R ^-1 .La correzione forza di dispersione si trova ad essere importante per la previsione della stabilità nanotubo multi-parete. La distanza e l'energia di interazione tra i componenti a parete singola dei nanotubi doppia parete è dimostrato essere vicino all'energia distanza e l'interazione tra gli strati nel cristallo bulk. Analisi della forma nanotubo rilassato utilizzando il metodo proposto dimostra un piccolo ma evidente deviazione dalla sezione completamente cilindrica delle pareti esterne nei nanotubi doppie e triple pareti poltrona-like.